Počet záznamů: 1  

Profiling N-Type Dopants in Silicon

  1. 1.
    SYSNO0340745
    NázevProfiling N-Type Dopants in Silicon
    Tvůrce(i) Hovorka, Miloš (UPT-D)
    Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Mikulík, P. (CZ)
    Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
    Zdroj.dok. Materials Transactions. Roč. 51, č. 2 (2010), s. 237-242. - : Japan Institute of Metals and Materials
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant GP102/09/P543 GA ČR - Grantová agentura ČR
    IAA100650803 GA AV ČR - Akademie věd
    CEZAV0Z20650511 - UPT-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.JP
    Klíč.slova silicon * dopant contrast * photoemission electron microscopy * scanning electron microscopy
    URLhttp://www.jim.or.jp/journal/e/51/02/237.html
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0183926
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.