Počet záznamů: 1  

Etching enhanced annealing of GaMnAs layers

  1. 1.
    SYSNO0337274
    NázevEtching enhanced annealing of GaMnAs layers
    Překlad názvuZvýšení účinnosti žíhaní GaMnAs pomocí leptání
    Tvůrce(i) Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
    Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
    Cukr, Miroslav (FZU-D)
    Mašek, Jan (FZU-D) RID
    Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
    Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2151-2154. - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
    GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova surface processes * molecular beam epitaxy * magnetic materials
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0181304
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.