Počet záznamů: 1  

Free carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs

  1. 1.
    SYSNO0336403
    NázevFree carrier induced substrate heating of the epitaxially grown GaMnAs
    Překlad názvuZahřívání substrátu vlivem absorpce na volných nosičích přiepitaxním růstu GaMnAs
    Tvůrce(i) Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
    Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
    Cukr, Miroslav (FZU-D)
    Zdroj.dok. Journal of Crystal Growth. Roč. 311, č. 7 (2009), s. 2132-2134. - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
    GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova GaMnAs * MBE * diluted magnetic semiconductors
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0180643
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.