Počet záznamů: 1
The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices
- 1.
SYSNO 0335861 Název The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices Překlad názvu Příčiny a způsob ovládání AMR v součástkách z (Ga,Mn)As Tvůrce(i) Rushforth, A.W. (GB)
Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
King, C.S. (GB)
Edmonds, K. W. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Foxon, C. T. (GB)
Wunderlich, J. (GB)
Irvine, A.C. (GB)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
Kovalev, A.A. (US)
Sinova, J. (US)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Gallagher, B. L. (GB)Zdroj.dok. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Roč. 321, č. 8 (2009), s. 1001-1008. - : Elsevier Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/05/0575 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/04/1519 GA ČR - Grantová agentura ČR 015728, XE - země EU CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. NL Klíč.slova ferromagnetic semiconductor * anisotropic magnetoresistance Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0180215
Počet záznamů: 1