Počet záznamů: 1  

The origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices

  1. 1.
    SYSNO0335861
    NázevThe origin and control of the sources of AMR in (Ga,Mn)As devices
    Překlad názvuPříčiny a způsob ovládání AMR v součástkách z (Ga,Mn)As
    Tvůrce(i) Rushforth, A.W. (GB)
    Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
    King, C.S. (GB)
    Edmonds, K. W. (GB)
    Campion, R. P. (GB)
    Foxon, C. T. (GB)
    Wunderlich, J. (GB)
    Irvine, A.C. (GB)
    Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
    Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
    Kovalev, A.A. (US)
    Sinova, J. (US)
    Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
    Gallagher, B. L. (GB)
    Zdroj.dok. Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Roč. 321, č. 8 (2009), s. 1001-1008. - : Elsevier
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
    GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA202/05/0575 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA202/04/1519 GA ČR - Grantová agentura ČR
    015728, XE - země EU
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.NL
    Klíč.slova ferromagnetic semiconductor * anisotropic magnetoresistance
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0180215
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.