Počet záznamů: 1  

Low voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction

  1. 1.
    SYSNO0324990
    NázevLow voltage control of ferromagnetism in a semiconductor p-n junction
    Překlad názvuFeromagnetismus ovládaný nízkým napětím v polovodičovém p-n přechodu
    Tvůrce(i) Owen, M.H.S. (GB)
    Wunderlich, J. (GB)
    Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
    Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
    Zemen, Jan (FZU-D) RID
    Výborný, Karel (FZU-D) RID, ORCID
    Ogawa, S. (GB)
    Irvine, A.C. (GB)
    Ferguson, A.J. (GB)
    Sirringhaus, H. (GB)
    Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
    Zdroj.dok. New Journal of Physics. Roč. 11, č. 2 (2009), 023008/1-023008/9. - : Institute of Physics Publishing
    Druh dok.Článek v odborném periodiku
    Grant LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
    GEFON/06/E002 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GEFON/06/E001 GA ČR - Grantová agentura ČR
    015728, XE - země EU
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    Jazyk dok.eng
    Země vyd.DE
    Klíč.slova ferromagnetic semiconductor * p-n junction * field-effect transistor
    Trvalý linkhttp://hdl.handle.net/11104/0172558
     
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.