Počet záznamů: 1
Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor
- 1.
SYSNO 0079015 Název Coulomb Blockade Anisotropic Magnetoresistance Effect in a (Ga,Mn)As Single-Electron Transistor Překlad názvu Anisotropní magnetoresistence v režimu Coulombovské blokády v jednoelektronovém transistoru na bázi (Ga,Mn)As Tvůrce(i) Wunderlich, J. (GB)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Kaestner, B. (GB)
Irvine, A.C. (GB)
Shick, Alexander (FZU-D) RID, ORCID
Stone, N. (GB)
Wang, K. Y. (GB)
Rana, U. (GB)
Giddings, A.D. (GB)
Foxon, C. T. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Williams, D.A. (GB)
Gallagher, B. L. (GB)Zdroj.dok. Physical Review Letters. Roč. 97, č. 7 (2006), 077201/1-077201/4. - : American Physical Society Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant GA202/05/0575 GA ČR - Grantová agentura ČR LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GR/S81407/01, GB - Velká Británie CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Jazyk dok. eng Země vyd. US Klíč.slova anisotropic magnetoresistance * Coulomb blockade * single electron transistor Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0143916
Počet záznamů: 1