Počet záznamů: 1
Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode
- 1.
SYSNO 0000388 Název Characterization of InAs/AlSb tunelling double barrier heterostructure by reverse electron emission spectroscopy with InAs as base electrode Překlad názvu Charakterizace InAs/AlSb dvojite tunelove barierove heterostruktury Tvůrce(i) Vaniš, Jan (URE-Y) RID
Chow, D. H. (US)
Šroubek, Filip (URE-Y)
McGill, T. C. M. (US)
Walachová, Jarmila (URE-Y)Zdroj.dok. Physica Status Solidi C : Conferences and critical reviews. Roč. 2, č. 4 (2005), s. 1444-1448 Konference EXMATEC 2004 - International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compounds Semiconductor Materials & Technologies /7./, Montpellier, 01.06.2004-04.06.2004 Druh dok. Článek v odborném periodiku Grant KSK1010104 GA AV ČR - Akademie věd, CZ - Česká republika Jazyk dok. eng Země vyd. DE Klíč.slova scanning tunnelling microscopy * ballistic transport * semiconductor heterojunctions Trvalý link http://hdl.handle.net/11104/0017652
Počet záznamů: 1