Počet záznamů: 1
Acquisition of the dopant contrast in semiconductors with slow electrons
- 1.
SYSNO ASEP 0525062 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Acquisition of the dopant contrast in semiconductors with slow electrons Tvůrce(i) Frank, Luděk (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Hovorka, Miloš (UPT-D)
El Gomati, M. M. (GB)
Müllerová, Ilona (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Mika, Filip (UPT-D) RID, SAI, ORCID
Mikmeková, Eliška (UPT-D) RIDCelkový počet autorů 6 Číslo článku 146836 Zdroj.dok. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. - : Elsevier - ISSN 0368-2048
Roč. 241, MAY (2020)Poč.str. 10 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova semiconductors ; dopant contrast ; low energy SEM ; PEEM ; mirror electron microscopy ; surface treatments Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Obor OECD Electrical and electronic engineering CEP TE01020118 GA TA ČR - Technologická agentura ČR LO1212 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ED0017/01/01 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Způsob publikování Open access Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 UT WOS 000540723700005 EID SCOPUS 85063225896 DOI 10.1016/j.elspec.2019.03.004 Anotace Methods available for the mapping of dopants in silicon-based semiconductor structures with p-type as well as n-type doped patterns using low and very-low-energy electrons are reviewed together with the results of demonstration experiments. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2021 Elektronická adresa https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S036820481830135X
Počet záznamů: 1