Počet záznamů: 1
Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu.
- 1.
SYSNO ASEP 0504859 Druh ASEP P - Patent Zařazení RIV P - Patent nebo jiný výsledek chráněný podle zvláštních právních předpisů Název Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu a způsob vytvoření tohoto kódu. Překlad názvu A memory item for storing the n-bit code and a method for generating the code. Tvůrce(i) Veselý, M. (CZ)
Dzik, P. (CZ)
Klusoň, Petr (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Morozová, Magdalena (UCHP-M) RID, SAI
Kubáč, L. (CZ)
Akrman, J. (CZ)Rok vydání 2020 Forma vydání Tištěná - P Využití jiným subj. A - Pro využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence Lic. popl. A - Poskytovatel licence požaduje licenční poplatek Číslo pat.spisu 308265 Datum udělení 19.02.2020 Vlastník patentu Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i. - Centrum organické chemie - Vysoké učení technické v Brně Kód vydavatele patentu CZ001 - Úřad průmyslového vlastnictví Prague Využití A - Pouze udělený (dosud nevyužívaný) patent nebo patent využívaný jeho vlastníkem Jazyk dok. cze - čeština Klíč. slova n-bit code ; electrodes ; UV radiation Vědní obor RIV CI - Průmyslová chemie a chemické inženýrství Obor OECD Chemical process engineering CEP VI20162019037 GA MV - Ministerstvo vnitra Institucionální podpora UCHP-M - RVO:67985858 Anotace Paměťový prvek (1) pro uložení n-bitového kódu pro n ≥ 2 je tvořený fotochemickým článkem (2), kde fotochemický článek (2) zahrnuje nosný podklad (3), na kterém je uspořádána soustava elektrod (6, 7, 8) obklopená gelovým elektrolytem (4). Soustava elektrod (6, 7, 8) je tvořena tiskovou vrstvou na nosném podkladu a každá z elektrod (6, 7, 8) je opatřena výstupním kontaktem (5) vyvedeným na povrch nosného podkladu (3). Soustava elektrod (6, 7, 8) zahrnuje jednu společnou katodu (6), jednu referenční fotoanodu (7) opatřenou polovodičovou vrstvou (9) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu referenční fotoanody (7) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Ir, a alespoň jednu měřicí fotoanodu (8) opatřenou polovodičovou vrstvou (9´) tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu měřicí fotoanody (8) a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Im pro který platí Ir ≥ Im. Hodnoty výstupních fotoproudů Im tvoří n-bitový kód generovaný paměťovým prvkem (1). Překlad anotace The memory item (1) for storing the n-bit code for n ≥ 2 comprises a photochemical cell (2), the photochemical cell (2) includes a support substrate (3) on which an electrode array (6, 7, 8) is surrounded gel electrolyte (4). The electrodes (6, 7, 8) are formed by a printing layer on the support substrate and each of the electrodes (6, 7, 8) has an output contact (5) led to the surface of the bearing base (3). The electrodes (6, 7, 8) include one common cathode (6), one reference photoanode (7) with a semiconductor layer (9) formed by a printing layer on the surface of the reference photoanode (7) and generating an output photocurrent Ir after impact of UV radiation and at least one measurement photoanode (8) with a semiconductor layer (9 ') formed by a printing layer on the surface of the measurement photoanode (8) and generating a photocurrent Im upon which Ir ≥ Im is applied after UV radiation. The values of the output photocurrent Im form the n-bit code generated by the memory element (1). Pracoviště Ústav chemických procesů Kontakt Eva Jirsová, jirsova@icpf.cas.cz, Tel.: 220 390 227 Rok sběru 2021 Elektronická adresa https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/308/308265.pdf
Počet záznamů: 1