Počet záznamů: 1

Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated germanium nanoparticles

SYSNO ASEP	0496537
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Characterization of hydrogenated silicon thin films and diode structures with integrated germanium nanoparticles
Tvůrce(i)	Stuchlík, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Fajgar, Radek (UCHP-M)_{RID, ORCID, SAI} Kupčík, Jaroslav (UCHP-M)_{RID, ORCID, SAI} Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID} Stuchlíková, The-Ha (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	5
Zdroj.dok.	Nanocon 2017 : conference proceedings : 9th International Conference on Nanomaterials - Research & Application. - Ostrava : Tanger Ltd., 2018 - ISBN 9788087294819
Rozsah stran	s. 123-127
Poč.str.	5 s.
Forma vydání	Online - E
Akce	NANOCON 2017. International Conference on Nanomaterials - Research & Application /9./
Datum konání	18.10.2017 - 20.10.2017
Místo konání	Brno
Země	CZ - Česká republika
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	CZ - Česká republika
Klíč. slova	PECVD ; a-Si:H diode structures ; Ge ; nanoparticles
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Obor OECD	Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Vědní obor RIV – spolupráce	Ústav chemických procesů - Fyzikální chemie a teoretická chemie
CEP	LTC17029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271 ; UCHP-M - RVO:67985858
Anotace	Substrates with ZnO (or ITO) conductive layers were covered by thin film of a-Si:H deposited by PECVD technique. Under a turbo-molecular vacuum (10-4 Pa) the reactive laser ablation (RLA) was used to cover this a-Si:H thin film by germanium NPs. The RLA was performed using focused excimer ArF laser beam (193 nm, 100 mJ/pulse) under SiH4 background atmosphere (0.5 Pa). As a target the elemental germanium was used. Reaction between ablated Ge and silane led to formation of Ge NPs covered by thin SiGe layer. Then the deposited NPs were covered and stabilized by a-Si:H layer by PECVD. Those two deposition processes was alternated and applied a few times. The Si:H thin films with integrated Ge NPs were characterized by microscopic, spectroscopic and diffraction techniques. I-V characteristics of final diode structures without and under illumination were measured as well as their electroluminescence behaviour.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2019

Počet záznamů: 1