Počet záznamů: 1  

Changes of the absorption cross section of Si nanocrystals with temperature and distance

  1. 1.
    SYSNO ASEP0482700
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevChanges of the absorption cross section of Si nanocrystals with temperature and distance
    Tvůrce(i) Greben, M. (CZ)
    Khoroshyy, Petro (UOCHB-X) ORCID, RID
    Gutsch, S. (DE)
    Hiller, D. (DE)
    Zacharias, M. (DE)
    Valenta, J. (CZ)
    Zdroj.dok.Beilstein Journal of Nanotechnology. - : Beilstein - Institut zur Foerderung der Chemischen Wissenschaften - ISSN 2190-4286
    Roč. 8, Nov 6 (2017), s. 2315-2323
    Poč.str.9 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovaabsorption cross section ; average lifetime ; nanocrystal distance ; photoluminescence decay ; silicon nanocrystals
    Vědní obor RIVCF - Fyzikální chemie a teoretická chemie
    Obor OECDPhysical chemistry
    Institucionální podporaUOCHB-X - RVO:61388963
    UT WOS000415308200001
    EID SCOPUS85034224472
    DOI10.3762/bjnano.8.231
    AnotaceThe absorption cross section (ACS) of silicon nanocrystals (Si NCs) in single-layer and multilayer structures with variable thickness of oxide barriers is determined via a photoluminescence (PL) modulation technique that is based on the analysis of excitation intensity-dependent PL kinetics under modulated pumping. We clearly demonstrate that roughly doubling the barrier thickness (from ca. 1 to 2.2 nm) induces a decrease of the ACS by a factor of 1.5. An optimum separation barrier thickness of ca. 1.6 nm is calculated to maximize the PL intensity yield. This large variation of ACS values with barrier thickness is attributed to a modulation of either defect population states or of the efficiency of energy transfer between confined NC layers. An exponential decrease of the ACS with decreasing temperature down to 120 K can be explained by smaller occupation number of phonons and expansion of the band gap of Si NCs at low temperatures. This study clearly shows that the ACS of Si NCs cannot be considered as independent on experimental conditions and sample parameters.
    PracovištěÚstav organické chemie a biochemie
    Kontaktasep@uochb.cas.cz ; Kateřina Šperková, Tel.: 232 002 584 ; Viktorie Chládková, Tel.: 232 002 434
    Rok sběru2018
    Elektronická adresahttps://www.beilstein-journals.org/bjnano/articles/8/231
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.