Počet záznamů: 1
Structural and optical properties of Gd implanted GaN with various crystallographic orientations
- 1.
SYSNO ASEP 0479677 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Structural and optical properties of Gd implanted GaN with various crystallographic orientations Tvůrce(i) Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Jagerová, Adéla (UJF-V) ORCID, SAI
Sofer, Z. (CZ)
Klímová, K. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Pristovsek, M. (GB)
Mikulics, M. (DE)
Lorinčík, Jan (URE-Y)
Bottger, R. (DE)
Akhmadaliev, S. (DE)Celkový počet autorů 11 Zdroj.dok. Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
Roč. 638, SEP (2017), s. 63-72Poč.str. 11 s. Forma vydání Tištěná - P Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CH - Švýcarsko Klíč. slova GaN implantation ; RBS channelling ; optical properties of Gd implanted GaN Vědní obor RIV BG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače Obor OECD 1.3 Physical sciences Vědní obor RIV – spolupráce Ústav fotoniky a elektroniky - Optika, masery a lasery CEP GA13-20507S GA ČR - Grantová agentura ČR GA15-01602S GA ČR - Grantová agentura ČR LM2015056 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 ; UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000411775900009 EID SCOPUS 85025099941 DOI 10.1016/j.tsf.2017.07.036 Anotace Structure, morphology, and optical properties of Gd implanted GaN epitaxial layers were studied for (0001), (11-20), and (11-22) orientations. The GaN layers grown by MOVPE on sapphire were subsequently implanted with 200 keV Gd+ ions using fluences of 5 x 10(15) and 5 x 10(16) cm(-2). Dopant depth profiling was accomplished by Rutherford Back-Scattering spectrometry (RBS). Structural and optical changes during subsequent annealing were characterized by RBS, Raman spectroscopy, and photoluminescence measurements. Post-implantation annealing induced a structural reorganization of GaN structure in the buried layer depending on the introduced disorder level, i.e. depending on the implantation fluence and on crystallographic orientation. The defect density depth distribution was evaluated by RBS. The surface morphology and optical properties depend on particular crystallographic orientation. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1