Počet záznamů: 1
Enhanced extraction of silicon-vacancy centers light emission using bottom-up engineered polycrystalline diamond photonic crystal slabs
- 1.
SYSNO ASEP 0474904 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Enhanced extraction of silicon-vacancy centers light emission using bottom-up engineered polycrystalline diamond photonic crystal slabs Tvůrce(i) Ondič, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Varga, Marián (FZU-D) RID, ORCID
Hruška, Karel (FZU-D) RID, ORCID
Fait, J. (TD)
Kapusta, Peter (UFCH-W) RID, ORCIDCelkový počet autorů 5 Zdroj.dok. ACS Nano. - : American Chemical Society - ISSN 1936-0851
Roč. 11, č. 3 (2017), s. 2972-2981Poč.str. 10 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova photonic crystal ; diamond ; silicon vacancy center Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus Obor OECD Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) Vědní obor RIV – spolupráce Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského - Fyzikální chemie a teoretická chemie CEP GJ16-09692Y GA ČR - Grantová agentura ČR LD15003 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GBP208/12/G016 GA ČR - Grantová agentura ČR Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UFCH-W - RVO:61388955 UT WOS 000398014900063 EID SCOPUS 85016420852 DOI 10.1021/acsnano.6b08412 Anotace Silicon vacancy (SiV) centers are optically active defects in diamond. The SiV centers, in contrast to nitrogen vacancy (NV) centers, possess narrow and efficient luminescence spectrum (centered at approximate to 738 nm) even at room temperature, which can be utilized for quantum photonics and sensing applications. However, most of light generated in diamond is trapped in the material due to the phenomenon of total internal reflection. In order to overcome this issue, we have prepared two-dimensional photonic crystal slabs from polycrystalline diamond thin layers with high density of SiV centers employing bottom up growth on quartz templates. We have shown that the spectral overlap between the narrow light emission of the SiV centers and the leaky modes extracting the emission into almost vertical direction (where it can be easily detected) can be obtained by controlling the deposition time. More than 14-fold extraction enhancement of the SiV centers photoluminescence was achieved compared to an uncorrugated sample. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2018
Počet záznamů: 1