Počet záznamů: 1

Photoluminescence excitation of lithium fluoride films by surface plasmon resonance in Kretschmann configuration

SYSNO ASEP	0471563
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Photoluminescence excitation of lithium fluoride films by surface plasmon resonance in Kretschmann configuration
Tvůrce(i)	Bulíř, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Zikmund, Tomáš (FZU-D) Novotný, Michal (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Lančok, Ján (FZU-D)_{RID, ORCID} Fekete, Ladislav (FZU-D)_{RID, ORCID} Juha, Libor (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Celkový počet autorů	6
Číslo článku	412
Zdroj.dok.	Applied Physics A - Materials Science & Processing. - : Springer - ISSN 0947-8396 Roč. 122, č. 4 (2016), s. 1-7
Poč.str.	7 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	DE - Německo
Klíč. slova	local surface plasmon resonance ; luminescence ; XUV laser ; LiF
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GAP108/11/1312 GA ČR - Grantová agentura ČR
	LM2011029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000372259900153
EID SCOPUS	84961619714
DOI	10.1007/s00339-016-9971-4
Anotace	We report on excitation of the photoluminescence of lithium fluoride by means of the surface plasmon resonance of Al layer. Advantage of this method is high efficiency of the excitation, which is applicable to ultrathin films. P-polarized UV diode laser light is coupled to the surface plasmon resonance using a fused silica prism in Kretschmann configuration. The angular dependence of the reflected intensity is measured using a theta-2theta goniometer. The surface plasmon at resonance condition induces photoluminescence in the adjacent lithium fluoride layer. The fluoride layers were deposited on Al-coated fused silica substrates by electron beam evaporation. For the experiment, we prepared several samples with thickness ranging from 20 to 71 nm. We studied the effect of the luminescence enhancement by the surface plasmon resonance effect. Strong quenching effect was observed in the thinnest LiF layer. Influence of X-ray irradiation on the photoluminescence was studied.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2017

Počet záznamů: 1