Počet záznamů: 1
Passivating electron contact based on highly crystalline nanostructured silicon oxide layers for silicon solar cells
- 1.
SYSNO ASEP 0471006 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Passivating electron contact based on highly crystalline nanostructured silicon oxide layers for silicon solar cells Tvůrce(i) Stuckelberger, J. (CH)
Nogay, G. (CH)
Wyss, P. (CH)
Jeangros, Q. (CH)
Allebe, Ch. (CH)
Debrot, F. (CH)
Niquille, X. (CH)
Ledinský, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Despeisse, M. (CH)
Haug, F.J. (CH)
Löper, P. (CH)
Ballif, C. (CH)Celkový počet autorů 13 Zdroj.dok. Solar Energy Materials and Solar Cells. - : Elsevier - ISSN 0927-0248
Roč. 158, Dec (2016), s. 2-10Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova surface passivation ; passivating contact ; nanostructure ; silicon oxide ; nanocrystalline ; microcrystalline ; poly-silicon ; crystallization ; Raman ; transmission line measurement Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP LM2015087 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 UT WOS 000386414900002 EID SCOPUS 84992166514 DOI 10.1016/j.solmat.2016.06.040 Anotace We present a novel passivating contact structure based on a nanostructured silicon-based layer. Traditional poly-Si junctions feature excellent junction characteristics but their optical absorption induces current losses when applied to the solar cell front side. Targeting enhanced transparency, the poly-Si layer is replaced with a mixed-phase silicon oxide/silicon layer. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2017
Počet záznamů: 1