Počet záznamů: 1  

Passivating electron contact based on highly crystalline nanostructured silicon oxide layers for silicon solar cells

  1. 1.
    SYSNO ASEP0471006
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevPassivating electron contact based on highly crystalline nanostructured silicon oxide layers for silicon solar cells
    Tvůrce(i) Stuckelberger, J. (CH)
    Nogay, G. (CH)
    Wyss, P. (CH)
    Jeangros, Q. (CH)
    Allebe, Ch. (CH)
    Debrot, F. (CH)
    Niquille, X. (CH)
    Ledinský, Martin (FZU-D) RID
    Fejfar, Antonín (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Despeisse, M. (CH)
    Haug, F.J. (CH)
    Löper, P. (CH)
    Ballif, C. (CH)
    Celkový počet autorů13
    Zdroj.dok.Solar Energy Materials and Solar Cells. - : Elsevier - ISSN 0927-0248
    Roč. 158, Dec (2016), s. 2-10
    Poč.str.9 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.NL - Nizozemsko
    Klíč. slovasurface passivation ; passivating contact ; nanostructure ; silicon oxide ; nanocrystalline ; microcrystalline ; poly-silicon ; crystallization ; Raman ; transmission line measurement
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPLM2015087 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000386414900002
    EID SCOPUS84992166514
    DOI10.1016/j.solmat.2016.06.040
    AnotaceWe present a novel passivating contact structure based on a nanostructured silicon-based layer. Traditional poly-Si junctions feature excellent junction characteristics but their optical absorption induces current losses when applied to the solar cell front side. Targeting enhanced transparency, the poly-Si layer is replaced with a mixed-phase silicon oxide/silicon layer.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktEva Pulcmanová, pulcman@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2017