Počet záznamů: 1  

Ab initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces

  1. 1.
    SYSNO ASEP0466113
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevAb initio density functional theory study on the atomic and electronic structure of GaP/Si(001) heterointerfaces
    Tvůrce(i) Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
    Supplie, O. (DE)
    Susi, T. (AT)
    May, M.M. (GB)
    Hannappel, T. (DE)
    Číslo článku155309
    Zdroj.dok.Physical Review B. - : American Physical Society - ISSN 2469-9950
    Roč. 94, č. 15 (2016), s. 1-9
    Poč.str.9 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovainterface structure ; GaP/Si heterointerface ; interface electronic states ; core-level shifts
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPGF16-34856L GA ČR - Grantová agentura ČR
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000386097800001
    EID SCOPUS84992145951
    DOI10.1103/PhysRevB.94.155309
    AnotaceThe atomic and electronic band structures of GaP/Si(001) heterointerfaces were investigated by ab initio density functional theory calculations. Relative total energies of abrupt interfaces and mixed interfaces with Si substitutional sites within a few GaP layers were derived. The electronic band structure of the epitaxial GaP/Si(001) heterostructure terminated by the (2×2) surface reconstruction consists of surface and interface electronic states in the common band gap of two semiconductors. The dispersion of the states is anisotropic and differs for the abrupt Si-Ga, Si-P, and mixed interfaces. Ga 2p, P 2p, and Si 2p core-level binding-energy shifts were computed for the abrupt and the lowest-energy heterointerface structures. The distinct features in the heterointerface electronic structure and in the core-level shifts open new perspectives in the experimental characterization of buried polar-on-nonpolar semiconductor heterointerfaces.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2017
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.