Počet záznamů: 1  

The combined technological methods for deposition of Si:H thin films and structures with in situ embedded nanoparticles

  1. 1.
    SYSNO ASEP0451866
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JOstatní články
    NázevThe combined technological methods for deposition of Si:H thin films and structures with in situ embedded nanoparticles
    Tvůrce(i) Stuchlík, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Stuchlíková, The-Ha (FZU-D) RID, ORCID
    Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
    Purkrt, Adam (FZU-D) RID
    Fajgar, Radek (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
    Koštejn, Martin (UCHP-M) RID, SAI, ORCID
    Zhuravlev, K. (RU)
    Kupčík, Jaroslav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
    Sveshnikova, L. (RU)
    Galkin, K.N. (RU)
    Galkin, N.G. (RU)
    Zdroj.dok.Advanced Science, Engineering and Medicine - ISSN 2164-6627
    Roč. 7, č. 4 (2015), s. 265-269
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaPECVD ; RDE ; LA ; RLA ; VE ; PT
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPLH12236 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271 ; UCHP-M - RVO:67985858
    DOI10.1166/asem.2015.1689
    AnotaceUp to now the deposited thin film structures on the base of hydrogenated silicon (Si:H) by PECVD technique are applied in many devices. Although the quality of Si:H thin films was modified by change of technological parameters and Si:H was studied intensively for many years, the possible applications are still limited. Therefore, we study the combined methods of Si:H thin films deposition with embedded nanoparticles, modify the quality of the Si:H thin films and made them convenient for further applications, for example light emitting diodes (LEDs. Our paper is focused on technology details of deposition of PbS and Mg2Si nanoparticles embedded in a-Si matrix with the emphasis on the in situ deposition without interruption of vacuum process.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2017
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.