Počet záznamů: 1
Ferromagnetic and paramagnetic magnetization of implanted GaN:Ho,Tb,Sm,Tm films
- 1.
SYSNO ASEP 0450317 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Ferromagnetic and paramagnetic magnetization of implanted GaN:Ho,Tb,Sm,Tm films Tvůrce(i) Maryško, Miroslav (FZU-D) RID
Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Laguta, Valentyn (FZU-D) RID, ORCID
Sofer, Z. (CZ)
Sedmidubský, D. (CZ)
Šimek, P. (CZ)
Veselý, M. (CZ)
Mikulics, M. (DE)
Buchal, C. (DE)
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Malinský, Petr (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Wilhelm, R. A. (DE)Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. - : AIP Publishing - ISSN 0021-8979
Roč. 117, č. 17 (2015), "17B907-1"-"17B907-4"Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova magnetic field, ; ferromagnetic and paramagnetic magnetization Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA13-20507S GA ČR - Grantová agentura ČR GBP108/12/G108 GA ČR - Grantová agentura ČR LM2011019 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora FZU-D - RVO:68378271 ; UJF-V - RVO:61389005 UT WOS 000354984100230 EID SCOPUS 84926467629 DOI 10.1063/1.4916761 Anotace The SQUID magnetic measurements were performed on the GaN films prepared by metal-organic vapour phase epitaxy and implanted by Tb3+, Tm3+, Sm3+, and Ho3+ ions. The sapphire substrate was checked by the electron paramagnetic resonance method which showed a content of Cr3+ and Fe3+ impurities. The samples 5x5mm2 were positioned in the classical straws and within an estimated accuracy of 10-6 emu, no ferromagnetic moment was detected in the temperature region of 2–300K. The paramagnetic magnetization was studied for parallel and perpendicular orientation. In the case of GaN:Tb sample, at T=2K, a pronounced anisotropy with the easy axis perpendicular to the film was observed which can be explained by the lowest quasi-doublet state of the non-Kramers Tb3+ ion. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2016
Počet záznamů: 1