Počet záznamů: 1

Effect of the lower and upper interfaces on the quality of InAs/GaAs quantum dots

SYSNO ASEP	0431316
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Effect of the lower and upper interfaces on the quality of InAs/GaAs quantum dots
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Zíková, Markéta (FZU-D)_RID Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Vyskočil, Jan (FZU-D)_RID Komninou, Ph. (GR) Kioseoglou, J. (GR) Florini, N. (GR) Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Applied Surface Science. - : Elsevier - ISSN 0169-4332 Roč. 301, SI (2014), 173-177
Poč.str.	5 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	quantum dots ; InAs ; GaAs ; GaAsSb ; reflectance anisotropy spectroscopy
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GA13-15286S GA ČR - Grantová agentura ČR
	LM2011026 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	7AMB12GR034 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
Institucionální podpora	FZU-D - RVO:68378271
UT WOS	000335095600027
EID SCOPUS	84897916367
DOI	10.1016/j.apsusc.2014.02.033
Anotace	The aim of this work is to influence QD formation by improving the lower and upper InAs/GaAs QD interface quality. Lower interface: a good epitaxial surface planarity is required for QD formation with high QD density and narrow size distribution. We demonstrate the improvement of the QD size distribution and homogeneity, when the growth rate of the buffer layer was decreased. Upper interface formed during the covering process: InAs quantum dots were capped by GaAs or by GaAsSb. The presence of Sb atoms in covering layer strongly influences the interface abruptness. In the case of GaAs covering layer, an InGaAs layer with gradual decrease of In concentration is unintentionally formed at the interface between InAs and GaAs. The presence of Sb in GaAsSb covering layer helps to form abrupt interface between InAs and covering layer. An optimal GaAsSb composition profile is suggested to prevent dissolution of QDs during the covering process and to minimize the amount of surfacting In atoms.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2015

Počet záznamů: 1