Počet záznamů: 1
Variable shape E-beam writing: proximity effect simulation and correction of binary and relief structures
- 1.
SYSNO ASEP 0429463 Druh ASEP A - Abstrakt Zařazení RIV Záznam nebyl označen do RIV Zařazení RIV Není vybrán druh dokumentu Název Variable shape E-beam writing: proximity effect simulation and correction of binary and relief structures Tvůrce(i) Urbánek, Michal (UPT-D) RID
Matějka, Milan (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Kolařík, Vladimír (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Horáček, Miroslav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Krátký, Stanislav (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Bok, Jan (UPT-D) RID
Chlumská, Jana (UPT-D) RID, ORCID, SAI
Mikšík, P. (CZ)
Vašina, J. (CZ)Celkový počet autorů 9 Zdroj.dok. 39th International Conference on Micro and Nano Engineering MNE2013. Book of Abstracts. - Cambridge : University of Cambridge, 2013
S. 582Poč.str. 1 s. Forma vydání Tištěná - P Akce MNE2013. International Conference on Micro and Nano Engineering /39./ Datum konání 16.09.2013-19.09.2013 Místo konání London Země GB - Velká Británie Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova rectangular shaped beam ; proximity effect simulation ; binary structures and relief structures Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika Institucionální podpora UPT-D - RVO:68081731 Anotace During the e-beam writing, several effects occur, which can significantly change the desired resolution of designed patterns. The final pattern is mostly affected by two scattering effects in resist layer and substrate: forward scattering and backscattering. Due to this electron scattering effects, the exposed patterns can be significantly broader than the designed. This phenomenon, called proximity effect, causes that areas adjacent to the exposed ones receive nonzero electron dose and thus pattern can vary from the intended size. Pracoviště Ústav přístrojové techniky Kontakt Martina Šillerová, sillerova@ISIBrno.Cz, Tel.: 541 514 178 Rok sběru 2015
Počet záznamů: 1