Počet záznamů: 1  

Electron spin resonance of paramagnetic defects and related charge carrier traps in complex oxide scintillators

  1. 1.
    SYSNO ASEP0422109
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevElectron spin resonance of paramagnetic defects and related charge carrier traps in complex oxide scintillators
    Tvůrce(i) Laguta, Valentyn (FZU-D) RID, ORCID
    Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
    Zdroj.dok.Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
    Roč. 250, č. 2 (2013), s. 254-260
    Poč.str.7 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovascintillators ; point defects ; electron spin resonance ; polarons
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPLM2011029 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    GAP204/12/0805 GA ČR - Grantová agentura ČR
    IAA100100810 GA AV ČR - Akademie věd
    Institucionální podporaFZU-D - RVO:68378271
    UT WOS000314929500005
    EID SCOPUS84873518009
    DOI10.1002/pssb.201200502
    AnotaceSelected results of Electron Spin Resonance study of various point defects, which participate in the processes of charge carriers transfer and capture in the family of practically important complex oxide single crystal scintillators based on tungstates, aluminum perovskites and yt-trium (lutetium) orthosilicates are presented. Particular attention is paid to the most natural defects inevitably present in oxide materials such as anion and cation va-cancies, antisite defects, self-trapped electron and hole states. Current understanding of the nature of such charge trapping states and mechanisms of their creation in the selected oxide scintillation materials is discussed as well.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2014
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.