Počet záznamů: 1
Particle detectors based on InP Schottky diodes
- 1.
SYSNO ASEP 0387285 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Particle detectors based on InP Schottky diodes Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)Celkový počet autorů 2 Zdroj.dok. Journal of Instrumentation. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1748-0221
Roč. 10, č. 7 (2012), C100051-C100055Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova Particle detector ; High purity InP layer ; Schottky diode Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP OC10021 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy LD12014 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 UT WOS 000310834800005 DOI 10.1088/1748-0221/7/10/C10005 Anotace A study of electrical properties and detection performance of Indium Phosphide detector structures with Schottky contacts prepared on high purity p-type InP was performed. Schottky barrier detectors were prepared by vacuum evaporation of Pd on p-type epitaxial layers grown on Zn-doped p-type substrates. The detection performance of the detectors was characterized by the measurement of pulse-height spectra with alpha particles emitted from 241Am source at room temperature. The influence of the quality of p-type epitaxial layers on the charge-collection efficiency and energy resolution in the full-width half-maximum is discussed Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1