Počet záznamů: 1
High sensitivity hydrogen sensors based on GaN
- 1.
SYSNO ASEP 0382126 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název High sensitivity hydrogen sensors based on GaN Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)Celkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Physica status solidi C : Current Topics in Solid State Physics
Roč. 7, č. 9 (2012), s. 1661-1663Poč.str. 3 s. Akce 16th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XVI) Datum konání 19.06.2011-23.06.2011 Místo konání Stockholm Země SE - Švédsko Typ akce WRD Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova Pt nanoparticles ; Graphite based Schottky diodes ; Hydrogen sensor ; GaN Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP OC10021 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy Institucionální podpora URE-Y - RVO:67985882 UT WOS 000306479300039 DOI 10.1002/pssc.201100627 Anotace High quality graphite based Schottky diodes are presented. Schottky barriers were prepared by mechanical deposition of colloidal graphite on GaN substrates uncoverd and partly covered with Pt nanoparticles deposited by electrophoretic techniques. The electron transport for both diodes can be well described by thermionic emission. Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pt/GaN Schottky diodes were investigated. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. The proposed hydrogen sensor responds well to various hydrogen containing gases. The room-temperature sensitivity response of 2x107 was obtained in 1000 ppm H2/N2ambient. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2013
Počet záznamů: 1