Počet záznamů: 1
Role of grain size in superconducting boron-doped nanocrystalline diamond thin films grown by CVD
- 1.
SYSNO ASEP 0369139 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Role of grain size in superconducting boron-doped nanocrystalline diamond thin films grown by CVD Tvůrce(i) Zhang, G. (BE)
Janssens, S.D. (BE)
Vanacken, J. (BE)
Timmermans, M. (BE)
Vacík, Jiří (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Ataklti, G.W. (BE)
Decelle, W. (BE)
Gillijns, W. (BE)
Goderis, B. (BE)
Haenen, K. (BE)
Wagner, P. (BE)
Moshchalkov, V.V. (BE)Celkový počet autorů 13 Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 84, č. 21 (2011), 214517/1-214517/10Poč.str. 10 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Nanocrystalline diamond ; Superconducting transition Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) UT WOS 000297932500006 DOI 10.1103/PhysRevB.84.214517 Anotace The grain size dependence of the superconducting transition, the normal state resistivity, and the insulating behavior at high magnetic fields are studied on a series of boron-doped nanocrystalline diamond (B:NCD) thin films with different grain sizes. The systematic change of the grain size is achieved by varying the methane-to-hydrogen ratio (C/H ratio) for the growth of different B:NCD films. Even though a fixed trimethylboron- (TMB) to-methane gas ratio is supposed to induce the identical boron-doping level in all the B:NCD films, the boron concentration and the carrier density are found to be a decreasing function of the grain size. Another consequence of the increase in grain size is the decreasing grain boundary density. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1