Počet záznamů: 1
Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers
- 1.
SYSNO ASEP 0368041 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Particle detectors based on semiconducting InP epitaxial layers Tvůrce(i) Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)
Žďánský, Karel (URE-Y)Celkový počet autorů 3 Zdroj.dok. Journal of Instrumentation. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1748-0221
Roč. 6, C01072 (2011), C010721-C010725Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova Solid state detectors ; Gamma detectors ; Radiation-hard detectors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEP KJB200670901 GA AV ČR - Akademie věd OC10021 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy GP102/08/P617 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000291345600077 DOI 10.1088/1748-0221/6/01/C01072 Anotace In this work, we present study of electrical properties and detection performance of two types of InP detector structures: (i) with p-n-junction and (ii) with Schottky contact prepared on high purity p-type InP. The p-n junction detectors were based on a high purity InP:Pr layers of both n- and p- type conductivity with carrier concentration on the order of 1014 cm-3 grown on Sn doped n-type substrate. Schottky barrier detectors were prepared by vacuum evaporation of Pd on high purity p-type epitaxial layer grown on Mn doped p-type substrate. The detection performance of particle detectors was measured by pulse-height spectra with alpha particles emitted from 241Am source at room temperature. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1