Počet záznamů: 1
Preparation of InAs/GaAs quantum dots for BEEM/BEES
- 1.
SYSNO ASEP 0367158 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název Preparation of InAs/GaAs quantum dots for BEEM/BEES Tvůrce(i) Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Vaniš, Jan (URE-Y) RID
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Walachová, Jarmila (URE-Y)
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAIZdroj.dok. EWMOVPE XIV. - Wroclaw : Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 / Prazmowska J. - ISBN 978-83-7493-599-9 Rozsah stran s. 263-266 Poč.str. 4 s. Akce European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./ Datum konání 05.06.2011-08.06.2011 Místo konání Wrocław Země PL - Polsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PL - Polsko Klíč. slova InAs/GaAs ; quantum dots ; BEEM/BEES Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GAP102/10/1201 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR GPP102/11/P824 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) Anotace Self-assembled InAs/GaAs QD layer embedded in AlGaAs heterostructure was detected by ballistic electron emission microscopy (BEEM). Ballistic current through QDs is much higher than outside of QDs, and QDs look like dark spots. Ballistic electron emission microscopy (BEES) characteristics (IB/V) were measured on individual QDs. Derivation corresponds to the density of states. Minima in the density of states are assigned to the positions of the quantum levels in the QD. The spectroscopic characteristics of individual QDs were examined. One-electron p1-like state, one-electron and two-electron ground states and excited two-electron states were found. The Coulomb interaction and exchange energies between two electrons in QDs were also determined. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1