Počet záznamů: 1
GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission
- 1.
SYSNO ASEP 0367155 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název GaAsSb strain reducing layers for InAs/GaAs quantum dot long wavelength and high efficiency emission Tvůrce(i) Hospodková, Alice (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Pangrác, Jiří (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Oswald, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
Kuldová, Karla (FZU-D) RID, ORCID
Vyskočil, Jan (FZU-D) RID
Hulicius, Eduard (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Hazdra, P. (CZ)Zdroj.dok. EWMOVPE XIV. - Wroclaw : Printing house of Wroclaw University of Technology, 2011 / Prazmowska J. - ISBN 978-83-7493-599-9 Rozsah stran s. 105-108 Poč.str. 4 s. Akce European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy /14./ Datum konání 05.06.2011-08.06.2011 Místo konání Wrocław Země PL - Polsko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. PL - Polsko Klíč. slova quantum dot ; InAs ; GaAs ; GaAsSb strain reducing layer ; photoluminescence Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GAP102/10/1201 GA ČR - Grantová agentura ČR GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) Anotace In this work we report the photoluminescence (PL) at maximum wavelength 1391 nm on MOVPE prepared InAs/GaAs quantum dots (QDs) with GaAsSb strain reducing layer (SRL) maintaining the type I heterojunction between QDs and GaAsSb SRL. We present the shift of PL maximum towards longer wavelengths with increasing Sb content in SRL. This type of structure increases strongly PL efficiency, redshifts the PL peak, decreases its full width at half maximum and maintains a similar energy separation between the ground state and excited state in comparison to QDs covered only by GaAs. These properties are promising for the use of GaAsSb SRL in QD devices. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1