Počet záznamů: 1
Specific features of depth distribution profiles of implanted cobalt ions in rutile TiO(2)
- 1.
SYSNO ASEP 0365920 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Specific features of depth distribution profiles of implanted cobalt ions in rutile TiO(2) Tvůrce(i) Achkeev, A. A. (RU)
Khaibullin, R. I. (RU)
Tagirov, L.R. (RU)
Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID, SAI
Hnatowicz, Vladimír (UJF-V) RID
Cherkashin, N. (FR)Celkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Physics of the Solid State. - : Pleiades Publishing - ISSN 1063-7834
Roč. 53, č. 3 (2011), s. 543-553Poč.str. 11 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. RU - Rusko Klíč. slova ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM ; SEMICONDUCTORS ; OXIDE Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA106/09/0125 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011) UT WOS 000288175100018 DOI 10.1134/S1063783411030024 Anotace This paper reports on the results of the calculation of the depth distribution profiles of the concentration of the impurity implanted into an anisotropic crystalline material. The sputtering of the irradiated material, fast one-dimensional diffusion of the impurity along structural channels, and accumulation of the implanted impurity at different depths have been taken into account. The results of the calculations have been compared with the experimental distribution profiles of cobalt ions implanted into the crystal structure of rutile TiO(2) along and across structural channels at different temperatures of the irradiated substrate. Pracoviště Ústav jaderné fyziky Kontakt Markéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1