Počet záznamů: 1  

Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu

  1. 1.
    SYSNO ASEP0365408
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevMagnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu
    Tvůrce(i) Sofer, Z. (CZ)
    Sedmidubský, D. (CZ)
    Moram, M. (GB)
    Macková, Anna (UJF-V) RID, ORCID
    Buchal, C. (DE)
    Hardtdegen, H. (DE)
    Václavů, M. (CZ)
    Peřina, Vratislav (UJF-V) RID
    Groetzschel, R. (DE)
    Mikulics, M. (DE)
    Hejtmánek, Jiří (FZU-D) RID, ORCID
    Maryško, Miroslav (FZU-D) RID
    Celkový počet autorů12
    Zdroj.dok.Thin Solid Films. - : Elsevier - ISSN 0040-6090
    Roč. 519, č. 18 (2011), s. 6120-6125
    Poč.str.6 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.CH - Švýcarsko
    Klíč. slovaMagnetic semiconductors ; III-V semiconductors ; Ion implantation ; X-ray diffraction ; Rutherford backscattering spectroscopy
    Vědní obor RIVBG - Jaderná, atomová a mol. fyzika, urychlovače
    CEPGA104/09/1269 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA106/09/0125 GA ČR - Grantová agentura ČR
    GA104/09/0621 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z10480505 - UJF-V (2005-2011)
    AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000292576500049
    DOI10.1016/j.tsf.2011.04.110
    AnotaceWe present a complex study of rare earth elements implanted GaN layers grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy on c-plane sapphire substrates. Gd, Dy, La and Lu ions were implanted with energies of 200 key and doses ranging from 5 x 10(13) to 4 x 10(17) atoms.cm(-2). The chemical composition and concentration profiles of ion-implanted layers were studied by secondary ion mass spectrometry and Rutherford back scattering. The structural properties of the layers were characterized by Rutherford back scattering/channeling and X-ray diffraction reciprocal space mapping.
    PracovištěÚstav jaderné fyziky
    KontaktMarkéta Sommerová, sommerova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 173 228 ; Renata Glasová, glasova@ujf.cas.cz, Tel.: 266 177 223
    Rok sběru2012
Počet záznamů: 1