Počet záznamů: 1

Testing of bulk radiation damage of n-in-p silicon sensors for very high radiation environments

SYSNO ASEP	0361428
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Testing of bulk radiation damage of n-in-p silicon sensors for very high radiation environments
Tvůrce(i)	Hara, K. (JP) Affolder, A.A. (GB) Allport, P.P. (GB) Bates, R. (GB) Betancourt, C. (US) Böhm, Jan (FZU-D) Brown, H. (GB) Buttar, C. (GB) Carter, J. R. (GB) Casse, G. (GB) Mikeštíková, Marcela (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	74
Zdroj.dok.	Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002 Roč. 636, č. 1 (2011), "S83"-"S89"
Poč.str.	7 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	p-bulk silicon ; microstrip ; charge collection ; radiation damage
Vědní obor RIV	BF - Elementární částice a fyzika vys. energií
CEP	LA08032 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
CEZ	AV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000291416400015
DOI	10.1016/j.nima.2010.04.090
Anotace	We are developing n+-in-p, p-bulk and n-readout, microstrip sensors, fabricated by Hamamatsu Photonics, as a non-inverting radiation hard silicon detector for the ATLAS tracker upgrade at the super-LHC (sLHC) proposed facility. The bulk radiation damage after neutron and proton irradiations is characterized with the leakage current, charge collection and full depletion voltage. The detectors should provide acceptable signal, signal-to-noise ratio exceeding 15, after the integrated luminosity of 6000 fb−1, which is twice the sLHC integrated luminosity goal.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2013

Počet záznamů: 1