Počet záznamů: 1

Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments

SYSNO ASEP	0361396
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Development of n-on-p silicon sensors for very high radiation environments
Tvůrce(i)	Unno, Y. (JP) Affolder, A.A. (GB) Allport, P.P. (GB) Bates, R. (GB) Betancourt, C. (US) Böhm, Jan (FZU-D) Brown, H. (GB) Buttar, C. (GB) Carter, J. R. (GB) Casse, G. (GB) Mikeštíková, Marcela (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	74
Zdroj.dok.	Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section A. - : Elsevier - ISSN 0168-9002 Roč. 636, č. 1 (2011), "S24"-"S30"
Poč.str.	7 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	silicon ; micro-strip ; ATLAS ; SLHC ; sensor ; radiation damage ; p-type ; n-in-p
Vědní obor RIV	BF - Elementární částice a fyzika vys. energií
CEP	LA08032 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
CEZ	AV0Z10100502 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000291416400005
DOI	10.1016/j.nima.2010.04.080
Anotace	We have developed a novel and highly radiation-tolerant n-in-p silicon microstrip sensor for very high radiation environments such as in the Super Large Hadron Collider. The sensors are designed for a fluence of 1×10¹⁵ neq/cm² and are fabricated from p-type, FZ, 6 in. (150 mm) wafers onto which we lay out a single 9.75 cm×9.75 cm large-area sensor and several 1 cm×1 cm miniature sensors with various n-strip isolation structures. By evaluating the sensors both pre- and post-irradiation by protons and neutrons, we find that the full depletion voltage evolves to approximately 800 V and that the n-strip isolation depends on the p+ concentration. In addition, we characterize the interstrip resistance, interstrip capacitance and the punch-through-protection (PTP) voltage.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2013

Počet záznamů: 1