Počet záznamů: 1

InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

SYSNO ASEP	0359526
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime
Tvůrce(i)	Hospodková, Alice (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Pangrác, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Vyskočil, Jan (FZU-D)_RID Oswald, Jiří (FZU-D)_{RID, ORCID} Vetushka, Aliaksi (FZU-D)_{RID, ORCID} Caha, O. (CZ) Hazdra, P. (CZ) Kuldová, Karla (FZU-D)_{RID, ORCID} Hulicius, Eduard (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI}
Zdroj.dok.	Journal of Crystal Growth. - : Elsevier - ISSN 0022-0248 Roč. 317, č. 1 (2011), s. 39-42
Poč.str.	4 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	NL - Nizozemsko
Klíč. slova	low dimensional structures ; photoluminescence ; low-pressure MOVPE ; InAs/GaAs quantum dots ; semiconducting III–V materials
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	GAP102/10/1201 GA ČR - Grantová agentura ČR
	GAP108/10/0253 GA ČR - Grantová agentura ČR
	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	GA202/09/0676 GA ČR - Grantová agentura ČR
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000288837700008
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2010.12.076
Anotace	InAs/GaAs quantum dot(QD)properties can be significantly influenced by the growth conditions of the QD capping layer. We have studied the effect of a group III partial pressure in the reactor on the QD capping process and on the QD photoluminescence when the capping layer is grow nunder the kinetically limited regime. Two types of capping layers were prepared: GaAs and InGaAs. The GaAs capping layer growth rate decrease did not influence QD dissolution, but increased the dissolution of big hillocks. Influence of the GaAs capping layer thickness on QD photoluminescence is also demonstrated. The composition of the ternary strain reducing InGaAs capping layer can beconsiderably changed depending on the V/III ratio under kinetically limited growth.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2012

Počet záznamů: 1