Počet záznamů: 1
Optical gain of the 1.54 μm emission in MBE-grown Si:Er nanolayers
- 1.
SYSNO ASEP 0357219 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Optical gain of the 1.54 μm emission in MBE-grown Si:Er nanolayers Tvůrce(i) Ha, N.N. (NL)
Dohnalová, Kateřina (FZU-D) RID, ORCID
Gregorkiewicz, T. (NL)
Valenta, J. (CZ)Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 81, č. 19 (2010), 195206/1-195206/6Poč.str. 6 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova optical parametric oscillators ; nonlinear waveguides ; laser materials ; nonlinear optical crystals Vědní obor RIV BH - Optika, masery a lasery CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000278142000058 DOI 10.1103/PhysRevB.81.195206 Anotace We present investigations of the optical gain cross section of 1.54 μm Er-related emission at 4.2 K in Si/Si:Er molecular-beam-epitaxy-grown multinanolayers. This ultranarrow (full width at half maximum below 8 μeV) emission originating from the unique Er-related optical complex, Er-1 center, ensures the best condition to achieve stimulated emission. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1