Počet záznamů: 1
Growth and properties of epitaxial Ce-doped YAG and LuAGfilms for scintillators
- 1.
SYSNO ASEP 0356301 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Growth and properties of epitaxial Ce-doped YAG and LuAGfilms for scintillators Tvůrce(i) Kučera, M. (CZ)
Nitsch, Karel (FZU-D) RID
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Daniš, S. (CZ)
Hanuš, M. (CZ)Zdroj.dok. Journal of Physics: Conference Series. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1742-6588
Roč. 249, č. 1 (2010), 012020/1-012020/9Poč.str. 9 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova Ce: YAG and Ce:LuAG epitaxial films ; scintillation ; liquid phase epitaxy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN300100802 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) DOI 10.1088/1742-6596/249/1/012020 Anotace Ce-doped YAG and LuAG epitaxial films were prepared and characterized when searching efficient thin films scintillators. The films were prepared by the liquid phase epitaxy using three various fluxes with the goal to find the flux-related impurities influencing optical, scintillation, crystallographic, and emission properties of the films as well their morphology Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1