Počet záznamů: 1  

Constitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures

  1. 1.
    SYSNO ASEP0356263
    Druh ASEPC - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
    Zařazení RIVD - Článek ve sborníku
    NázevConstitutive equation of the dipole layer in hydrogen-sensing metal-oxide-semiconductor structures
    Tvůrce(i) Šrobár, Fedor (URE-Y)
    Procházková, Olga (URE-Y)
    Celkový počet autorů2
    Zdroj.dok.Conference Proceedings ASDAM 2010. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. - ISBN 978-1-4244-8574-1
    Rozsah strans. 275-278
    Poč.str.4 s.
    AkceASDAM 2010 - The Eighth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    Datum konání25.10.2010-27.10.2010
    Místo konáníSmolenice
    ZeměSK - Slovensko
    Typ akceWRD
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaChemical sensors ; Interface phenomena ; Semiconductor devices
    Vědní obor RIVJA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
    CEPGA102/09/1037 GA ČR - Grantová agentura ČR
    CEZAV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011)
    EID SCOPUS78651413148
    DOI10.1109/ASDAM.2010.5667006
    AnotaceConstitutive P – E (dielectric polarization versus external electric field intensity) equation of the dipole ensemble in MOS-based hydrogen sensors is derived supposing Langmuir-type hydrogen absorption and a two-valley model of the elementary dipole energy. Depending on the energy difference of the minima, the P – E isotherms exhibit a rather sudden flip of the dipole orientation from antiparallel to parallel with respect to the E vector. Rabi resonance experiments could be based on this phenomenon.
    PracovištěÚstav fotoniky a elektroniky
    KontaktPetr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488
    Rok sběru2012
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.