Počet záznamů: 1
STUDY OF ELECTROPHORETIC DEPOSITION OF Pd METAL NANOPARTICLES ON InP AND GaN CRYSTAL SEMICONDUCTORS FOR H2 GAS SENSORS
- 1.
SYSNO ASEP 0356058 Druh ASEP C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.) Zařazení RIV D - Článek ve sborníku Název STUDY OF ELECTROPHORETIC DEPOSITION OF Pd METAL NANOPARTICLES ON InP AND GaN CRYSTAL SEMICONDUCTORS FOR H2 GAS SENSORS Tvůrce(i) Žďánský, Karel (URE-Y)
Yatskiv, Roman (URE-Y) RID, ORCID
Grym, Jan (URE-Y)
Černohorský, O. (CZ)
Zavadil, Jiří (URE-Y) RID
Kostka, František (URE-Y)Celkový počet autorů 6 Zdroj.dok. CONFERENCE PROCEEDINGS NANOCON 2010. - Ostrava : TANGER, 2010 / Zbořil R. - ISBN 978-80-87294-19-2 Rozsah stran s. 182-187 Poč.str. 6 s. Akce NANOCON 2010. International Conference /2./ Datum konání 12.10.2010-14.10.2010 Místo konání Olomouc Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova semiconductor devices ; nanostructures ; sensors Vědní obor RIV JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika CEZ AV0Z20670512 - URE-Y (2005-2011) UT WOS 000286656400031 Anotace Deposition of Pd nanoparticles (NPs) on InP or GaN single crystal wafer was performed from isooctane colloid solution. Diodes were prepared by making Schottky contact with colloidal graphite on Pd NPs partly coated surface and ohmic contact on the blank side of the wafer. It was found that several ppb of hydrogen in nitrogen gas can be detected by monitoring the change of diode current at a constant bias voltage. Diodes made on GaN were about ten times more sensitive to hydrogen than those made on InP. Pracoviště Ústav fotoniky a elektroniky Kontakt Petr Vacek, vacek@ufe.cz, Tel.: 266 773 413, 266 773 438, 266 773 488 Rok sběru 2012
Počet záznamů: 1