Počet záznamů: 1
SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů
- 1.
SYSNO ASEP 0356032 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů Překlad názvu SiGe products prepared by the CVD method from various precursors Tvůrce(i) Klementová, Mariana (FZU-D) RID, ORCID
Dřínek, Vladislav (UCHP-M) RID, ORCID, SAI
Palatinus, Lukáš (FZU-D) RID, ORCID
Rieder, M. (CZ)Zdroj.dok. Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. - : Czech and Slovak Crystallographic Association - ISSN 1211-5894
Roč. 17, 2a (2010), k93-k94Poč.str. 2 s. Akce Struktura 2010 Datum konání 14.06.2010-17.06.2010 Místo konání Soláň Země CZ - Česká republika Typ akce EUR Jazyk dok. cze - čeština Země vyd. CZ - Česká republika Klíč. slova nanowires ; nanoplatelets ; TEM ; Ge Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) AV0Z40720504 - UCHP-M (2005-2011) Anotace Vzorky připravené z prekurzoru (Si(CH3)3)3GeH obsahují nanovlákna o průměru desítek nanometrů a délce až několika mikrometrů. Nanovlákna vykazují vnitřní strukturu skládající se z jádra o průměru 10 až 30 nm a obalu o tloušťce 10 až 50 nm. Jádro je tvořeno monokrystalickým germaniem, zatímco amorfní Si/SiC obal obsahuje nanočástice germania o velikosti cca 5 nm. Vzorky připravené z kombinace prekurzorů Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 obsahují shluky lístečkovitých krystalů SiGe a SiGe nanovlákna. Tvary lístečkovitých krystalů jsou v průmětu hexagonální, často protažené do listovitých čepelí. Krystaly mají velikost několika mikrometrů, ale jejich tloušťka je pouhých 40 nm. Lístky jsou zploštěny ve podle {111} kubické struktury křemíku. Nanovlákna mají tloušťku kolem 10 nm a délku několik mikrometrů. Jedná se o monokrystaly protažené ve směru , bez jakýchkoli defektů. Překlad anotace The deposits prepared from (Si(CH3)3)3GeH contain nanowires of width of tens of nanometers and the length is up to several microns. Nanowires have a core-rim structure with a variable diameter of the core (10 to 30nm) and thickness of the rim (10 to 50nm). The core is composed of crystalline Ge, whereas the rim is mostly amorphous Si/SiC with occasional crystalline Ge nanoparticles up to 5nm in size. The deposits prepared from Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 contain flowerlike aggregates of micrometer-size GeSi platelets and GeSi nanowires. The platelets exhibit different shapes from hexagonal to elongated serrated leaves. They are up to several micrometers in size but have thickness of only about 40nm. The platelets grow perpendicular to direction. However, the electron diffraction patterns show interesting modulations probably caused by Si-Ge ordering. The nanowires are only about 10nm thick. They are single crystals which grow in direction and contain no defects. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1