Počet záznamů: 1
Crystal growth and characterization of rare earth doped K.sub.3./sub.LuF.sub.6./sub..
- 1.
SYSNO ASEP 0355861 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Crystal growth and characterization of rare earth doped K3LuF6. Tvůrce(i) Abe, N. (JP)
Yokota, Y. (JP)
Yanagida, T. (JP)
Kawaguchi, N. (JP)
Fukuda, K. (JP)
Pejchal, Jan (FZU-D) RID, ORCID
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Yoshikawa, A. (JP)Zdroj.dok. IEEE Transactions on Nuclear Science. - : Institute of Electrical and Electronics Engineers - ISSN 0018-9499
Roč. 57, č. 3 (2010), 1320-1324Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova crystal growth ; 5d-4f emission ; fluoride scintillator ; VUV Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/08/0893 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000278812200036 DOI 10.1109/TNS.2009.2033681 Anotace Transparent K3LuF6 single crystals doped with rare earth ions were successfully grown by the micro-pulling down method ( m-PD). X-ray diffraction measurements showed that the as-grown crystals possess monoclinic structure with P21/n space group. The radio- and photoluminescence spectra of the grown crystals were measured in the vacuum ultraviolet (VUV) and ultraviolet (UV) region. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1