Počet záznamů: 1

Comparison between chemical and plasmatic treatment of seeding layer for patterned diamond growth

SYSNO ASEP	0355161
Druh ASEP	C - Konferenční příspěvek (mezinárodní konf.)
Zařazení RIV	D - Článek ve sborníku
Název	Comparison between chemical and plasmatic treatment of seeding layer for patterned diamond growth
Tvůrce(i)	Kromka, Alexander (FZU-D)_{RID, ORCID, SAI} Babchenko, Oleg (FZU-D)_{RID, ORCID} Rezek, Bohuslav (FZU-D)_{RID, ORCID} Hruška, Karel (FZU-D)_{RID, ORCID} Purkrt, A. (CZ) Remeš, Zdeněk (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	6
Zdroj.dok.	Diamond Electronics and Bioelectronics - Fundamentals to Applications III. - Warrendale, PA : Materials Research Society, 2010 / Bergonzo P. ; Butler J.E. ; Jackman R.B. ; Loh K.P. ; Nesladek M. - ISBN 978-1-60511-176-6
Rozsah stran	s. 137-143
Poč.str.	7 s.
Akce	MRS Fall Meeting 2009
Datum konání	30.11.2009-04.12.2009
Místo konání	Boston
Země	US - Spojené státy americké
Typ akce	WRD
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	diamond ; plasma-enhanced CVD (PECVD) (deposition) ; microstructure
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP	LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
	IAAX00100902 GA AV ČR - Akademie věd
	KAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd
	KAN400480701 GA AV ČR - Akademie věd
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
Anotace	We employ UV photolithographic and electron beam lithographic patterning of diamond seeding layer on SiO2/Si substrates for the selective growth of micrometer and sub-micrometer diamond patterns. Using bottom-up strategy, thin diamond channels (470 nm in width) are directly grown. Differences between wet chemical and plasma treatment on the patterned diamond growth are studied. We find that the density of parasitic diamond crystals (outside predefined patterns) is lowered for gas mixture CF4/O2 plasma than for rich O2 plasma. After CF4/O2 plasma treatment, the density of parasitic crystals is 106 cm-2 which is comparable to the wet chemical treatment. Introducing sandwich-like structure, i.e. photoresist-seeding layer-photoresist, and its treatment (lift-off and CF4/O2 plasma) further reduces the density of parasitic crystals down to 105 cm-2.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2011

Počet záznamů: 1