Počet záznamů: 1  

Toward surface-friendly treatment of seeding layer and selected-area diamond growth

  1. 1.
    SYSNO ASEP0354793
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevToward surface-friendly treatment of seeding layer and selected-area diamond growth
    Tvůrce(i) Babchenko, Oleg (FZU-D) RID, ORCID
    Ižák, Tibor (FZU-D) RID
    Ukraintsev, Egor (FZU-D) RID, ORCID
    Hruška, Karel (FZU-D) RID, ORCID
    Rezek, Bohuslav (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů5
    Zdroj.dok.Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
    Roč. 247, 11-12 (2010), s. 3026-3029
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.DE - Německo
    Klíč. slovadiamond structuring ; lithography ; reactive ion etching ; selected-area deposition
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPKAN400100701 GA AV ČR - Akademie věd
    KAN400480701 GA AV ČR - Akademie věd
    LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    IAAX00100902 GA AV ČR - Akademie věd
    1M06002 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000285798400091
    DOI10.1002/pssb.201000124
    AnotaceSeveral technological approaches of applying photoresistive polymer for patterning the diamond seeding layer while minimizing damage of substrate surface is reported. Reactive ion etching (i.e., dry process) and wet photolithographical processing using two polymer layers are compared and combined as treatment techniques. Subsequently, diamond structures are deposited by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition from a gas mixture of methane diluted in hydrogen. The highest efficiency for selected-area deposition, with the parasitic density as low as the technological limit of 105 cm−2, was achieved by combining the two treatment techniques. Technological advantages and limitation of dry and wet treatment process are pointed out.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.