Počet záznamů: 1
Spin Hall effect transistor
- 1.
SYSNO ASEP 0354545 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Spin Hall effect transistor Tvůrce(i) Wunderlich, Joerg (FZU-D) RID, ORCID
Park, B.G. (GB)
Irvine, A.C. (GB)
Zarbo, Liviu (FZU-D)
Rozkotová, E. (CZ)
Němec, P. (CZ)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Sinova, Jairo (FZU-D) RID, ORCID
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCIDCelkový počet autorů 9 Zdroj.dok. Science. - : American Association for the Advancement of Science - ISSN 0036-8075
Roč. 330, č. 6012 (2010), s. 1801-1804Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova spin Hall effect ; spintronics ; spin transistor Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000285603700034 DOI 10.1126/science.1195816 Anotace Spin transistors and spin Hall effects have been two separate leading directions of research in semiconductor spintronics, which seeks new paradigms for information processing technologies. We have brought the two directions together to realize an all-semiconductor spin Hall effect transistor. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1