Počet záznamů: 1  

Spin Hall effect transistor

  1. 1.
    SYSNO ASEP0354545
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevSpin Hall effect transistor
    Tvůrce(i) Wunderlich, Joerg (FZU-D) RID, ORCID
    Park, B.G. (GB)
    Irvine, A.C. (GB)
    Zarbo, Liviu (FZU-D)
    Rozkotová, E. (CZ)
    Němec, P. (CZ)
    Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
    Sinova, Jairo (FZU-D) RID, ORCID
    Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
    Celkový počet autorů9
    Zdroj.dok.Science. - : American Association for the Advancement of Science - ISSN 0036-8075
    Roč. 330, č. 6012 (2010), s. 1801-1804
    Poč.str.4 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaspin Hall effect ; spintronics ; spin transistor
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPKAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
    LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000285603700034
    DOI10.1126/science.1195816
    AnotaceSpin transistors and spin Hall effects have been two separate leading directions of research in semiconductor spintronics, which seeks new paradigms for information processing technologies. We have brought the two directions together to realize an all-semiconductor spin Hall effect transistor.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.