Počet záznamů: 1
Exchange bias of a ferromagnetic semiconductor by a ferromagnetic metal: Fe/(Ga,Mn)As bilayer films studied by XMCD measurements and SQUID magnetometry
- 1.
SYSNO ASEP 0354476 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Exchange bias of a ferromagnetic semiconductor by a ferromagnetic metal: Fe/(Ga,Mn)As bilayer films studied by XMCD measurements and SQUID magnetometry Tvůrce(i) Olejník, Kamil (FZU-D) RID, ORCID
Wadley, P. (GB)
Haigh, J.A. (GB)
Edmonds, K. W. (GB)
Campion, R. P. (GB)
Rushforth, A.W. (GB)
Gallagher, B. L. (GB)
Foxon, C. T. (GB)
Jungwirth, Tomáš (FZU-D) RID, ORCID
Wunderlich, Joerg (FZU-D) RID, ORCID
Dhesi, S.S. (GB)
Cavill, S.A. (GB)
van der Laan, G. (GB)
Arenholz, E. (US)Celkový počet autorů 14 Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 81, č. 10 (2010), 104402/1-104402/5Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova ferromagnetic semiconductors ; exchange bias Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000276248700064 DOI 10.1103/PhysRevB.81.104402 Anotace We demonstrate an exchange bias in (Ga,Mn)As induced by antiferromagnetic coupling to a thin overlayer of Fe. The (Ga,Mn)As interface layer remains polarized at room temperature. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1