Počet záznamů: 1

Exchange bias of a ferromagnetic semiconductor by a ferromagnetic metal: Fe/(Ga,Mn)As bilayer films studied by XMCD measurements and SQUID magnetometry

  1. 1.
    SYSNO ASEP0354476
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    NázevExchange bias of a ferromagnetic semiconductor by a ferromagnetic metal: Fe/(Ga,Mn)As bilayer films studied by XMCD measurements and SQUID magnetometry
    Tvůrce(i)Olejník, Kamil (FZU-D) - Wadley, P. (GB) - Haigh, J.A. (GB) - Edmonds, K. W. (GB) - Campion, R. P. (GB) - Rushforth, A.W. (GB) - Gallagher, B. L. (GB) - Foxon, C. T. (GB) - Jungwirth, Tomáš (FZU-D) - Wunderlich, Joerg (FZU-D) - Dhesi, S.S. (GB) - Cavill, S.A. (GB) - van der Laan, G. (GB) - Arenholz, E. (US)
    Celkový počet autorů14
    Rozsah stran104402/1 - 104402/5
    Zdroj.dok.Physical Review. B - ISSN 1098-0121
    Poč.str.5 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaferromagnetic semiconductors ; exchange bias
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEPKAN400100652 GA AV ČR - Akademie věd
    LC510 GA MŠk - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UTISI000276248700064
    DOI10.1103/PhysRevB.81.104402
    AnotaceWe demonstrate an exchange bias in (Ga,Mn)As induced by antiferromagnetic coupling to a thin overlayer of Fe. The (Ga,Mn)As interface layer remains polarized at room temperature.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktEva Pulcmanová, pulcman@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011