Počet záznamů: 1
Effect of Fe doping on the terahertz conductivity of GaN single crystals
- 1.
SYSNO ASEP 0354453 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Effect of Fe doping on the terahertz conductivity of GaN single crystals Tvůrce(i) Kadlec, Filip (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kadlec, Christelle (FZU-D) RID, ORCID
Paskova, T. (US)
Evans, K. (US)Zdroj.dok. Journal of Physics D-Applied Physics. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 0022-3727
Roč. 43, č. 14 (2010), 145401/1-145401/5Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. GB - Velká Británie Klíč. slova gallium nitride ; terahertz spectroscopy ; iron doping Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100520 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000275891300014 DOI 10.1088/0022-3727/43/14/145401 Anotace Bulk single crystals of GaN with different degrees of Fe doping were studied using time-domain terahertz spectroscopy at high temperatures. Features due to free carriers were observed in the complex permittivity spectra with a pronounced dependence on both doping and temperature. Fitting the spectra using the Drude model made it possible to deduce a defect ionization energy of 16 meV in the undoped sample while the spectra of doped samples are consistent with an ionization energy of 60 meV. Also, the free carrier concentrations at temperatures from 300 to 900 K were estimated. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1