Počet záznamů: 1
Electric field induced anisotropy modification in (Ga,Mn)As: a strategy for the precessional switching of the magnetization
- 1.
SYSNO ASEP 0354292 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Electric field induced anisotropy modification in (Ga,Mn)As: a strategy for the precessional switching of the magnetization Tvůrce(i) Balestriere, P. (FR)
Devolder, T. (FR)
Wunderlich, Joerg (FZU-D) RID, ORCID
Chappert, C. (FR)Celkový počet autorů 4 Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 96, č. 14 (2010), 142504/1-142504/3Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova magnetic semiconductors ; spintronics Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000276554600048 DOI 10.1063/1.3379016 Anotace We propose a scheme for the precessional switching of the magnetization in the magnetic semiconductor (Ga,Mn)As using cubic anisotropy field reduction triggered by electric field and a small assisting magnetic field. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1