Počet záznamů: 1
Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction
- 1.
SYSNO ASEP 0354219 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction Tvůrce(i) Holý, V. (CZ)
Martí, X. (CZ)
Horák, L. (CZ)
Caha, O. (CZ)
Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
Cukr, Miroslav (FZU-D)
Schülli, T. U. (FR)Celkový počet autorů 7 Zdroj.dok. Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
Roč. 97, č. 18 (2010), 181913/1-181913/3Poč.str. 3 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova Mn ions ; x-ray diffraction ; GaAs lattice Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000283934100025 DOI 10.1063/1.3514240 Anotace Densities of Mn ions in epitaxial layers of (Ga,Mn)As were determined by anomalous x-ray diffraction, i.e., by a measurement of the dependence of the intensity of weak diffraction 002 on the photon energy around the Mn K absorption edge. From the measured data it was possible to determine the density of Mn ions in substitutional positions and the difference in the Mn densities in two possible interstitial positions in the GaAs lattice. The data demonstrate that the rate of the out-diffusion of the Mn interstitials from the Ga tetrahedrons significantly exceeds that from the As tetrahedrons. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1