Počet záznamů: 1  

Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction

  1. 1.
    SYSNO ASEP0354219
    Druh ASEPJ - Článek v odborném periodiku
    Zařazení RIVJ - Článek v odborném periodiku
    Poddruh JČlánek ve WOS
    NázevDensity of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction
    Tvůrce(i) Holý, V. (CZ)
    Martí, X. (CZ)
    Horák, L. (CZ)
    Caha, O. (CZ)
    Novák, Vít (FZU-D) RID, ORCID
    Cukr, Miroslav (FZU-D)
    Schülli, T. U. (FR)
    Celkový počet autorů7
    Zdroj.dok.Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951
    Roč. 97, č. 18 (2010), 181913/1-181913/3
    Poč.str.3 s.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Země vyd.US - Spojené státy americké
    Klíč. slovaMn ions ; x-ray diffraction ; GaAs lattice
    Vědní obor RIVBM - Fyzika pevných látek a magnetismus
    CEZAV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
    UT WOS000283934100025
    DOI10.1063/1.3514240
    AnotaceDensities of Mn ions in epitaxial layers of (Ga,Mn)As were determined by anomalous x-ray diffraction, i.e., by a measurement of the dependence of the intensity of weak diffraction 002 on the photon energy around the Mn K absorption edge. From the measured data it was possible to determine the density of Mn ions in substitutional positions and the difference in the Mn densities in two possible interstitial positions in the GaAs lattice. The data demonstrate that the rate of the out-diffusion of the Mn interstitials from the Ga tetrahedrons significantly exceeds that from the As tetrahedrons.
    PracovištěFyzikální ústav
    KontaktKristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
    Rok sběru2011
Počet záznamů: 1  

  Tyto stránky využívají soubory cookies, které usnadňují jejich prohlížení. Další informace o tom jak používáme cookies.