Počet záznamů: 1

Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

SYSNO ASEP	0354206
Druh ASEP	J - Článek v odborném periodiku
Zařazení RIV	J - Článek v odborném periodiku
Poddruh J	Článek ve WOS
Název	Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
Tvůrce(i)	Ciccarelli, C. (GB) Park, B.G. (GB) Ogawa, S. (GB) Ferguson, A.J. (GB) Wunderlich, Joerg (FZU-D)_{RID, ORCID}
Celkový počet autorů	5
Zdroj.dok.	Applied Physics Letters. - : AIP Publishing - ISSN 0003-6951 Roč. 97, č. 8 (2010), 082106/1-082106/3
Poč.str.	3 s.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Země vyd.	US - Spojené státy americké
Klíč. slova	MOSFET
Vědní obor RIV	BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEZ	AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011)
UT WOS	000281306500036
DOI	10.1063/1.3475771
Anotace	We present a study of the magnetoresistance (MR) of a Si metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET) at the break-down regime when a magnetic field is applied perpendicular to the plane of the device.
Pracoviště	Fyzikální ústav
Kontakt	Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579
Rok sběru	2011

Počet záznamů: 1