Počet záznamů: 1
Stabilization of semiconductor surface reconstructions by configurational entropy
- 1.
SYSNO ASEP 0353804 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Stabilization of semiconductor surface reconstructions by configurational entropy Tvůrce(i) Romanyuk, Olexandr (FZU-D) RID, ORCID
Grosse, F. (DE)
Proessdorf, A. (DE)
Braun, W. (DE)
Riechert, H. (DE)Zdroj.dok. Physical Review. B - ISSN 1098-0121
Roč. 82, č. 12 (2010), 125315/1-125315/5Poč.str. 5 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova GaSb ; surface reconstruction ; DFT ; entropy Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP GA202/07/0601 GA ČR - Grantová agentura ČR GPP204/10/P028 GA ČR - Grantová agentura ČR CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000281845900006 DOI 10.1103/PhysRevB.82.125315 Anotace Surface unit cells with a larger area and a reduced symmetry have a larger configurational entropy. The entropy may even stabilize reconstructions with higher energy at finite temperatures. We study the entropy contribution to surface reconstructions on the basis of ground-state calculations employing density-functional theory. Specifically, the ground-state GaSb(111)A surface reconstruction has a (2×2) symmetry, but at elevated temperatures, we experimentally observe the (2√3×2√3)-R30° symmetry in agreement with the theoretical results. The findings based on the general expressions are consistent with experimental data from other semiconductor surfaces. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1