Počet záznamů: 1
Scintillation properties of LuAG:Ce single crystalline films grown by LPE method
- 1.
SYSNO ASEP 0353473 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Scintillation properties of LuAG:Ce single crystalline films grown by LPE method Tvůrce(i) Průša, Petr (FZU-D) RID, ORCID
Mareš, Jiří A. (FZU-D) RID, ORCID
Nikl, Martin (FZU-D) RID, ORCID, SAI
Kučera, M. (CZ)
Nitsch, Karel (FZU-D) RID
Hanus, M. (CZ)Celkový počet autorů 6 Zdroj.dok. Optical Materials. - : Elsevier - ISSN 0925-3467
Roč. 32, č. 10 (2010), s. 1360-1363Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. NL - Nizozemsko Klíč. slova LuAG:Ce ; LPE method ; scintillation ; photoelectron yield Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEP KAN300100802 GA AV ČR - Akademie věd CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) UT WOS 000281935100023 DOI 10.1016/j.optmat.2010.04.010 Anotace Lu3Al5O12:Ce (LuAG:Ce) thin films were grown from the PbO–B2O3 (PB) and BaO–B2O3–BaF2 (BBB) fluxes using the liquid phase epitaxy method (LPE). Photoelectron yield, its time dependence, and energy resolution were measured under a-particle excitation Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1