Počet záznamů: 1
Evaluation of defect concentration in doped SWCNT
- 1.
SYSNO ASEP 0353077 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Článek ve WOS Název Evaluation of defect concentration in doped SWCNT Tvůrce(i) Kalbáč, Martin (UFCH-W) RID, ORCID
Kavan, Ladislav (UFCH-W) RID, ORCIDZdroj.dok. Physica Status Solidi B : Basic Solid State Physics. - : Wiley - ISSN 0370-1972
Roč. 247, 11-12 (2010), s. 2797-2800Poč.str. 4 s. Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. DE - Německo Klíč. slova defects ; Raman spectroscopy ; spectroelectrochemistry Vědní obor RIV CG - Elektrochemie CEP GC203/07/J067 GA ČR - Grantová agentura ČR GAP204/10/1677 GA ČR - Grantová agentura ČR IAA400400911 GA AV ČR - Akademie věd IAA400400804 GA AV ČR - Akademie věd KAN200100801 GA AV ČR - Akademie věd LC510 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ME09060 GA MŠMT - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy CEZ AV0Z40400503 - UFCH-W (2005-2011) UT WOS 000285798400039 DOI 10.1002/pssb.201000180 Anotace In the present study we analyze and discus Raman spectra of doped SWCNTs. We focus on the development of the integral area of the D mode (AD), the TG mode (ATG) and the G′ mode (AG′). It is shown that area of the D band is significantly attenuated in doped carbon nanotubes samples for both semiconducting and metallic tubes. A similar dependence on the doping as in the case of the area of the D mode was found also for the area of the TG and the G′ mode. The area of the G′ mode was found to be more significantly dependent on the electrode potential than the area of the TG mode. However, this difference is only small, hence the AD/AG′ and AD/ATG ratios give only slightly different results in evaluation of the amount of defects in doped SWCNT samples. Pracoviště Ústav fyzikální chemie J.Heyrovského Kontakt Michaela Knapová, michaela.knapova@jh-inst.cas.cz, Tel.: 266 053 196 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1