Počet záznamů: 1
Optimization of solar cell performance using atmospheric pressure chemical vapour deposition deposited TCOs
- 1.
SYSNO ASEP 0350863 Druh ASEP J - Článek v odborném periodiku Zařazení RIV J - Článek v odborném periodiku Poddruh J Ostatní články Název Optimization of solar cell performance using atmospheric pressure chemical vapour deposition deposited TCOs Tvůrce(i) Yates, H.M. (GB)
Evans, P. (AU)
Sheel, D.W. (GB)
Hodgkinson, J.L. (GB)
Sheel, P. (GB)
Dagkaldiran, U. (DE)
Gordijn, A. (DE)
Finger, F. (DE)
Remeš, Zdeněk (FZU-D) RID, ORCID
Vaněček, Milan (FZU-D) RIDZdroj.dok. ECS Transactions. - : Institute of Physics Publishing - ISSN 1938-5862
Roč. 25, č. 8 (2009), s. 789-796Poč.str. 8 s. Akce International Chemical Vapor Deposition Symposium (CVD-XVII) /17./ Datum konání 04.10.2009-09.10.2009 Místo konání Wien Země AT - Rakousko Typ akce EUR Jazyk dok. eng - angličtina Země vyd. US - Spojené státy americké Klíč. slova solar cells ; TCO ; CVD Vědní obor RIV BM - Fyzika pevných látek a magnetismus CEZ AV0Z10100521 - FZU-D (2005-2011) DOI 10.1149/1.3207668 Anotace Photovoltaic cell performance can be greatly improved by optimising the transparent conducting oxide used as the front contact. We have developed an advanced atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) process, by applying fast experimentation and using a combinatorial chemistry approach to aid the studies. By use of this process, F-doped SnO2 has been deposited using either monobutyl tin trichloride or tin tetrachloride with aqueous HF or trifluoro-acetic acid as the dopant source. The deposited films were characterised for crystallinity, morphology, resistivity and growth rate to aid optimisation of material suitable for solar cells. The results from use of the different tin precursors and dopants were compared. The most striking changes were related to resistivity and surface morphology. Compared with commercially available TCO CVD coated glasses, our coatings show excellent performance resulting in a high quantum efficiency yield for a-Si:H solar cells. Pracoviště Fyzikální ústav Kontakt Kristina Potocká, potocka@fzu.cz, Tel.: 220 318 579 Rok sběru 2011
Počet záznamů: 1